(0 отзывов)Код: 11403836

Оперативная память DDR3 8GB PC3-12800 (1600MHz) LV 1.35V w/o HEATSINK TWINMOS

Код: 11403836

Бренд: TwinMOS

2 500 с.

Наличие и доставка

на складе, доставим за 1-2 дня

Бесплатная доставка, самовывоз

2 500 с.

В корзине

Описание

1 модуль памяти DDR3
объем модуля 8 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
поддержка ECC
CAS Latency (CL): 11

Фото, описание, комплектация и характеристики могут отличаться от оригинала.
Страна производства может отличаться в зависимости от партии поставки.

Производитель оставляет за собой право изменять внешний вид, комплектацию товара без предупреждения.

Подробнее

Характеристики

Общие характеристики

Тип памяти: DDR3

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тактовая частота: 1600 МГц

Пропускная способность: 12800 МБ/с

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Поддержка ECC: есть

Буферизованная (Registered): да

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тайминги

CAS Latency (CL): 11

RAS to CAS Delay (tRCD): 11

Row Precharge Delay (tRP): 11

Дополнительно

Напряжение питания: 1.5 В

Перед покупкой уточняйте характеристики и комплектацию у продавца.

Общие характеристики

Тип памяти: DDR3

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тактовая частота: 1600 МГц

Пропускная способность: 12800 МБ/с

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Поддержка ECC: есть

Буферизованная (Registered): да

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тайминги

CAS Latency (CL): 11

RAS to CAS Delay (tRCD): 11

Row Precharge Delay (tRP): 11

Дополнительно

Напряжение питания: 1.5 В

Перед покупкой уточняйте характеристики и комплектацию у продавца.

Общие характеристики

Тип памяти: DDR3

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тактовая частота: 1600 МГц

Пропускная способность: 12800 МБ/с

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Поддержка ECC: есть

Буферизованная (Registered): да

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тайминги

CAS Latency (CL): 11

RAS to CAS Delay (tRCD): 11

Row Precharge Delay (tRP): 11

Дополнительно

Напряжение питания: 1.5 В

Перед покупкой уточняйте характеристики и комплектацию у продавца.

Общие характеристики

Тип памяти: DDR3

Форм-фактор: DIMM 240-контактный

Тактовая частота: 1600 МГц

Пропускная способность: 12800 МБ/с

Объем: 1 модуль 8 ГБ

Поддержка ECC: есть

Буферизованная (Registered): да

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Тайминги

CAS Latency (CL): 11

RAS to CAS Delay (tRCD): 11

Row Precharge Delay (tRP): 11

Дополнительно

Напряжение питания: 1.5 В

Перед покупкой уточняйте характеристики и комплектацию у продавца.

Общие
Торговая марка TwinMOS
Страна
Количество 100 шт.

Подробнее

Отзывы о товаре «Оперативная память DDR3 8GB PC3-12800 (1600MHz) LV 1.35V w/o HEATSINK TWINMOS»

Оцените товар

Будет здорово, если вы напишете свои впечатления о товаре. Это поможет другим покупателям

Написать отзыв

Доставка

Способы доставки

Самовывоз, при сумме заказа от 3500 сом, Согласовать с менеджером, Срочная доставка, Бесплатная доставка, Курьером по г. Бишкек от 200 сом, По Кыргызстану - от 300 сом , Габаритный груз от 600 сом.

Оплата